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《CMOS集成电路闩锁效应》出版社和出版日期：本书由机械工业出版社负责出版，将于2020年3月下旬面市。请同学们随时关注EETOP创芯大讲堂，将为大家提供优惠购买渠道及免费阅读机会。相关咨询添加微信:ssywtt

内容简述：

主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程，集成电路工艺制造技术从最初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术，同时器件也从最初的BJT发展的MOSFET。由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路，它在一定的条件下被触发而形成低阻通路，从而产生大电流，并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁，导致CMOS集成电路无法正常工作，甚至烧毁芯片，通常把该现象称为闩锁效应。

闩锁效应存在于体CMOS集成电路中，它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题，随着CMOS工艺技术的不断发展，工艺技术日趋先进，器件的特征尺寸越来越小，并且器件间的间距也越来越小，集成电路的器件密度越来越大，集成电路的闩锁效应变得越来越严重，特别是在IO电路中。

《CMOS集成电路闩锁效应》作者简介：

温德通，资深ESD设计工程师。毕业于西安电子科技大学微电子学院，曾供职于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，负责工艺制程整合方面的工作；后加入晶门科技（深圳）有限公司，负责集成电路工艺制程、器件、闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作；目前就职于一家全球领先的集成电路设计公司，负责闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作。出版作品《集成电路制造工艺与工程应用》和《CMOS集成电路闩锁效应》。